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STDV3055L104T4G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
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N-Channel 60 V 12A (Ta) 1.5W (Ta), 48W (Tj) Surface Mount DPAK
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STDV3055L104T4G

Descripción del producto

12859524

Número de pieza

STDV3055L104T4G-DG

Fabricante

onsemi
STDV3055L104T4G

Descripción

MOSFET N-CH 60V 12A DPAK

Inventario

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  • 100 3.5121 351.2100
  • 500 3.1657 1582.8500
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STDV3055L104T4G Especificaciones Técnicas

Categoría Transistores, FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante onsemi

Embalaje -

Serie -

Estado del producto Obsolete

Tipo FET N-Channel

Tecnología MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C 12A (Ta)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado) 5V

rds activados (máx.) @ id, vgs 104mOhm @ 6A, 5V

vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs 20 nC @ 5 V

Vgs (máx.) ±15V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 440 pF @ 25 V

Función FET -

Disipación de potencia (máx.) 1.5W (Ta), 48W (Tj)

Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor DPAK

Paquete / Caja TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Número de producto base STDV3

Hoja de Datos y Documentos

Hoja de datos HTML

STDV3055L104T4G-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Información Adicional

Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
1990-STDV3055L104T4GCT
2156-STDV3055L104T4G-OS
STDV3055L104T4G-DG
STDV3055L104T4GOSDKR
NTDV3055L104T4G-DG
ONSONSSTDV3055L104T4G
STDV3055L104T4GOSTR
STDV3055L104T4GOSCT
1990-STDV3055L104T4GDKR
1990-STDV3055L104T4GTR

Piezas alternativas

NÚMERO DE PARTE
FABRICANTE
CANTIDAD DISPONIBLE
NÚMERO DE PIEZA
PRECIO UNITARIO
TIPO DE SUSTITUCIÓN
IRLR024
Vishay Siliconix
16040
IRLR024-DG
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Preguntas Frecuentes (FAQ)

¿Cuáles son las principales características del MOSFET N-channel onsemi STDV3055L104T4G?

El STDV3055L104T4G es un MOSFET de canal N con una tensión de trabajo de 60V y una corriente de drenaje continua de 12A. Cuenta con una resistencia Rds On baja de 104 mΩ a 6A y 5V de voltaje de puerta, lo que lo hace apto para diversas aplicaciones de conmutación de potencia. Está diseñado para montaje superficial en un paquete DPAK.

¿Es adecuado el MOSFET onsemi STDV3055L104T4G para aplicaciones de altas temperaturas?

Sí, este MOSFET puede operar en temperaturas que van desde -55°C hasta 175°C, soportando ambientes de altas temperaturas. Además, tiene una disipación máxima de potencia de 48W en la unión, lo que garantiza un rendimiento fiable bajo estrés térmico.

¿Cuáles son los usos típicos del MOSFET STDV3055L104T4G en circuitos electrónicos?

Este MOSFET de canal N se utiliza comúnmente en conmutación de potencia, control de motores y circuitos de fuentes de alimentación debido a su alta capacidad de corriente y baja resistencia On. Su paquete DPAK de montaje superficial lo hace adecuado para dispositivos electrónicos compactos.

¿Qué debo saber sobre la compatibilidad y el montaje de este MOSFET?

El STDV3055L104T4G es un paquete DPAK (TO-252-3) diseñado para montaje superficial en placas de circuito impreso. Es compatible con procesos de montaje superficial estándar, lo que facilita su integración en diversos diseños.

¿El STDV3055L104T4G viene con soporte y garantía, y existen opciones alternativas?

Este MOSFET es un producto nuevo y original, con inventario disponible para compra inmediata. Si es necesario, opciones sustitutas como IRLR024 y NTD3055L104T4G también están disponibles para cumplir diferentes especificaciones o preferencias.

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