SIR640DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
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SIR640DP-T1-GE3

Descripción del producto

13007916

Número de pieza

SIR640DP-T1-GE3-DG
SIR640DP-T1-GE3

Descripción

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Inventario

2190 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 40 V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Cantidad
Mínimo 1

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SIR640DP-T1-GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante Vishay

Embalaje -

Serie TrenchFET®

Embalaje Tape & Reel (TR)

Estado de la pieza Obsolete

Tipo FET N-Channel

Tecnología MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C 60A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado) 4.5V, 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs 1.7mOhm @ 20A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id 2.3V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs 113 nC @ 10 V

Vgs (máx.) ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 4930 pF @ 20 V

Función FET -

Disipación de potencia (máx.) 6.25W (Ta), 104W (Tc)

Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor PowerPAK® SO-8

Paquete / Caja PowerPAK® SO-8

Número de producto base SIR640

Hoja de Datos y Documentos

Hoja de datos HTML

SIR640DP-T1-GE3-DG

Dibujos de productos

PowerPak SO-8 Drawing

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SIR640DPT1GE3
SIR640DP-T1-GE3TR
SIR640DP-T1-GE3CT
SIR640DP-T1-GE3DKR

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
FABRICANTE
CANTIDAD DISPONIBLE
NÚMERO DE PIEZA
PRECIO UNITARIO
TIPO DE SUSTITUCIÓN
SIR640ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix
1326
SIR640ADP-T1-GE3-DG
0.7300
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