SIZ900DT-T1-GE3 Vishay Siliconix
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SIZ900DT-T1-GE3

Descripción del producto

12786736

Número de pieza

SIZ900DT-T1-GE3-DG
SIZ900DT-T1-GE3

Descripción

MOSFET 2N-CH 30V 24A 6PWRPAIR

Inventario

2300 Pcs Nuevos Originales En Stock
Mosfet Array 30V 24A, 28A 48W, 100W Surface Mount 6-PowerPair™
Cantidad
Mínimo 1

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SIZ900DT-T1-GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET

Fabricante Vishay

Embalaje -

Serie TrenchFET®

Estado del producto Obsolete

Tecnología MOSFET (Metal Oxide)

Configuración 2 N-Channel (Half Bridge)

Función FET Logic Level Gate

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C 24A, 28A

rds activados (máx.) @ id, vgs 7.2mOhm @ 19.4A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id 2.4V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs 45nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 1830pF @ 15V

Potencia - Máx. 48W, 100W

Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje Surface Mount

Paquete / Caja 6-PowerPair™

Paquete de dispositivos del proveedor 6-PowerPair™

Número de producto base SIZ900

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

SIZ900DT

Hoja de datos HTML

SIZ900DT-T1-GE3-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SIZ900DT-T1-GE3DKR
SIZ900DTT1GE3
SIZ900DT-T1-GE3CT
SIZ900DT-T1-GE3TR

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
FABRICANTE
CANTIDAD DISPONIBLE
NÚMERO DE PIEZA
PRECIO UNITARIO
TIPO DE SUSTITUCIÓN
FDMS7602S
onsemi
10365
FDMS7602S-DG
13.6136
MFR Recommended
FDMS3604S
onsemi
24200
FDMS3604S-DG
0.4872
MFR Recommended
STL66DN3LLH5
STMicroelectronics
22550
STL66DN3LLH5-DG
8.2665
MFR Recommended
SIZ710DT-T1-GE3
Vishay Siliconix
33300
SIZ710DT-T1-GE3-DG
0.3009
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