SIZ900DT-T1-GE3
SIZ900DT-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 24A 6PWRPAIR
2300 Pcs Nuevos Originales En Stock
Mosfet Array 30V 24A, 28A 48W, 100W Surface Mount 6-PowerPair™
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SIZ900DT-T1-GE3 Vishay Siliconix
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SIZ900DT-T1-GE3

Descripción del producto

12786736

Número de pieza

SIZ900DT-T1-GE3-DG
SIZ900DT-T1-GE3

Descripción

MOSFET 2N-CH 30V 24A 6PWRPAIR

Inventario

2300 Pcs Nuevos Originales En Stock
Mosfet Array 30V 24A, 28A 48W, 100W Surface Mount 6-PowerPair™
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SIZ900DT-T1-GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría Transistores, FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET

Fabricante Vishay

Embalaje -

Serie TrenchFET®

Estado del producto Obsolete

Tecnología MOSFET (Metal Oxide)

Configuración 2 N-Channel (Half Bridge)

Función FET Logic Level Gate

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C 24A, 28A

rds activados (máx.) @ id, vgs 7.2mOhm @ 19.4A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id 2.4V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs 45nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 1830pF @ 15V

Potencia - Máx. 48W, 100W

Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje Surface Mount

Paquete / Caja 6-PowerPair™

Paquete de dispositivos del proveedor 6-PowerPair™

Número de producto base SIZ900

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

SIZ900DT

Hoja de datos HTML

SIZ900DT-T1-GE3-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SIZ900DT-T1-GE3DKR
SIZ900DTT1GE3
SIZ900DT-T1-GE3CT
SIZ900DT-T1-GE3TR

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
FABRICANTE
CANTIDAD DISPONIBLE
NÚMERO DE PIEZA
PRECIO UNITARIO
TIPO DE SUSTITUCIÓN
FDMS7602S
onsemi
15465
FDMS7602S-DG
13.6136
MFR Recommended
FDMS3604S
onsemi
29200
FDMS3604S-DG
0.4872
MFR Recommended
STL66DN3LLH5
STMicroelectronics
22650
STL66DN3LLH5-DG
8.2665
MFR Recommended
SIZ710DT-T1-GE3
Vishay Siliconix
38200
SIZ710DT-T1-GE3-DG
0.3009
MFR Recommended

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Dec 02, 2025
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Preguntas Frecuentes (FAQ)

¿Cuáles son las principales características y especificaciones del array de MOSFETs Vishay SIZ900DT-T1-GE3?
El Vishay SIZ900DT-T1-GE3 es un conjunto de MOSFETs de canal N, montaje superficial, con una tensión máxima de drenaje a fuente de 30V y una corriente de drenaje continua de hasta 24A (28A en pico). Cuenta con puerta de nivel lógico, una resistencia Rds On baja de 7.2 mΩ y soporta una disipación de potencia elevada de hasta 100W, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de conmutación de alto rendimiento.
¿Cuáles son las aplicaciones típicas del array de MOSFETs Vishay SIZ900DT-T1-GE3?
Este array de MOSFETs es ideal para conmutación de potencia, control de motores, fuentes de alimentación digitales y otras aplicaciones de alto corriente que requieren componentes eficientes, de montaje superficial, con baja resistencia en conducción y alta capacidad de manejo de potencia.
¿Es compatible el Vishay SIZ900DT-T1-GE3 con diseños estándar de circuitos y qué tipo de montaje utiliza?
Sí, el array de MOSFETs está diseñado para montaje superficial, específicamente en el paquete 6-PowerPair™, lo que lo hace adecuado para ensamblaje compacto y automatizado en diseños electrónicos modernos.
¿Cuáles son las ventajas de utilizar el Vishay SIZ900DT-T1-GE3 en mi proyecto?
Este array de MOSFETs ofrece una baja Rds On para reducir pérdidas por conducción, una alta disipación de potencia, y una puerta de nivel lógico que facilita su integración con circuitos de control de bajo voltaje, todo en un paquete de montaje superficial fiable que garantiza durabilidad y eficiencia.
¿El Vishay SIZ900DT-T1-GE3 incluye alguna garantía o soporte, y aún está disponible en stock?
El SIZ900DT-T1-GE3 está disponible en stock con más de 3,000 unidades, garantizando una entrega rápida. Sin embargo, cabe señalar que está marcado como obsoleto, por lo que su disponibilidad futura puede ser limitada; se recomienda verificar el inventario antes de realizar la compra.
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