SISF00DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
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SISF00DN-T1-GE3

Descripción del producto

12787103

Número de pieza

SISF00DN-T1-GE3-DG
SISF00DN-T1-GE3

Descripción

MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK 12

Inventario

2448 Pcs Nuevos Originales En Stock
Mosfet Array 30V 60A (Tc) 69.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SCD Dual
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Mínimo 1

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SISF00DN-T1-GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET

Fabricante Vishay

Embalaje Tape & Reel (TR)

Serie TrenchFET® Gen IV

Estado del producto Active

Tecnología MOSFET (Metal Oxide)

Configuración 2 N-Channel (Dual) Common Drain

Función FET -

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C 60A (Tc)

rds activados (máx.) @ id, vgs 5mOhm @ 10A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id 2.1V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs 53nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 2700pF @ 15V

Potencia - Máx. 69.4W (Tc)

Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje Surface Mount

Paquete / Caja PowerPAK® 1212-8SCD Dual

Paquete de dispositivos del proveedor PowerPAK® 1212-8SCD Dual

Número de producto base SISF00

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

SISF00DN

Hoja de datos HTML

SISF00DN-T1-GE3-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de REACH REACH info available upon request
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SISF00DN-T1-GE3CT
SISF00DN-T1-GE3DKR
SISF00DN-T1-GE3TR
Certificación DIGI
Blogs y Publicaciones