SIHG17N80E-GE3 Vishay Siliconix
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SIHG17N80E-GE3

Descripción del producto

12786281

Número de pieza

SIHG17N80E-GE3-DG
SIHG17N80E-GE3

Descripción

MOSFET N-CH 800V 15A TO247AC

Inventario

2300 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 800 V 15A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247AC
Cantidad
Mínimo 1

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En stock (Todos los precios son en USD)
  • CANT Precio objetivo Precio Total
  • 1 4.9500 4.9500
  • 50 3.8000 189.8600
  • 100 3.2200 321.9400
  • 500 2.8900 1446.5800
  • 1000 2.5000 2504.1900
  • 2000 2.3600 4715.9400
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SIHG17N80E-GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante Vishay

Embalaje Tube

Serie E

Estado del producto Active

Tipo FET N-Channel

Tecnología MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 800 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C 15A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado) 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs 290mOhm @ 8.5A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs 122 nC @ 10 V

Vgs (máx.) ±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 2408 pF @ 100 V

Función FET -

Disipación de potencia (máx.) 208W (Tc)

Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje Through Hole

Paquete de dispositivos del proveedor TO-247AC

Paquete / Caja TO-247-3

Número de producto base SIHG17

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

SIHG17N80E

Hoja de datos HTML

SIHG17N80E-GE3-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Información Adicional

Paquete Estándar
50

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
FABRICANTE
CANTIDAD DISPONIBLE
NÚMERO DE PIEZA
PRECIO UNITARIO
TIPO DE SUSTITUCIÓN
IXTH30N60L2
IXYS
5580
IXTH30N60L2-DG
20.8988
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IXTH20N65X
IXYS
595
IXTH20N65X-DG
5.9200
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