SI1967DH-T1-BE3 Vishay Siliconix
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SI1967DH-T1-BE3

Descripción del producto

12945840

Número de pieza

SI1967DH-T1-BE3-DG
SI1967DH-T1-BE3

Descripción

MOSFET 2P-CH 20V 1A/1.3A SC70-6

Inventario

2300 Pcs Nuevos Originales En Stock
Mosfet Array 20V 1A (Ta), 1.3A (Tc) 740mW (Ta), 1.25W (Tc) Surface Mount SC-70-6
Cantidad
Mínimo 1

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  • 3000 0.1200 366.0400
  • 6000 0.1200 702.4800
  • 9000 0.1100 989.0800
  • 30000 0.1100 3186.1400
  • 75000 0.1000 7846.8800
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SI1967DH-T1-BE3 Especificaciones Técnicas

Categoría FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET

Fabricante Vishay

Embalaje Tape & Reel (TR)

Serie TrenchFET®

Estado del producto Active

Tecnología MOSFET (Metal Oxide)

Configuración 2 P-Channel (Dual)

Función FET -

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C 1A (Ta), 1.3A (Tc)

rds activados (máx.) @ id, vgs 490mOhm @ 910mA, 4.5V

vgs(th) (máx.) @ id 1V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs 4nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 110pF @ 10V

Potencia - Máx. 740mW (Ta), 1.25W (Tc)

Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje Surface Mount

Paquete / Caja 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Paquete de dispositivos del proveedor SC-70-6

Número de producto base SI1967

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Si1967DH

Hoja de datos HTML

SI1967DH-T1-BE3-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
742-SI1967DH-T1-BE3TR
742-SI1967DH-T1-BE3CT
742-SI1967DH-T1-BE3DKR
Certificación DIGI
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