1N65G UMW
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1N65G

Descripción del producto

12991441

Número de pieza

1N65G-DG

Fabricante

UMW
1N65G

Descripción

SOT-223 N-CHANNEL POWER MOSFET

Inventario

2100 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 650 V 1A (Tj) Surface Mount SOT-223
FETs individuales, MOSFETs
1N65G Hoja de datos
Cantidad
Mínimo 1

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  • 5000 0.1900 932.8900
  • 12500 0.1800 2242.9500
  • 25000 0.1700 4162.7700
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1N65G Especificaciones Técnicas

Categoría FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante UMW

Embalaje Tape & Reel (TR)

Serie UMW

Estado del producto Active

Tipo FET N-Channel

Tecnología MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C 1A (Tj)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado) 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs 11Ohm @ 500mA, 10V

vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs 4.8 nC @ 10 V

Vgs (máx.) ±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 150 pF @ 25 V

Función FET -

Disipación de potencia (máx.) -

Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)

Tipo de montaje Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor SOT-223

Paquete / Caja TO-261-4, TO-261AA

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Descargar 1N65G Especificaciones del producto (PDF)
Hoja de datos HTML

1N65G-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99

Información Adicional

Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
4518-1N65GCT
4518-1N65GDKR
4518-1N65GTR
Certificación DIGI
ISO 209001_2015
ISO 209001_2015
ISO 14001_2015
ISO 2014001_2015
ISO 45001_2018
ISO 2045001_2018
DUNS REGISTERED
DUNS REGISTERED
Companines Registry
Companines Registry
ASA Certificate
ASA Certificate
UKAS
UKAS
ESD Certificate
ESD Certificate
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