NP35N055YUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation
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NP35N055YUK-E1-AY

Descripción del producto

12976316

Número de pieza

NP35N055YUK-E1-AY-DG
NP35N055YUK-E1-AY

Descripción

MOSFET N-CH 55V 35A 8HSON

Inventario

2396 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 55 V 35A (Tc) 1W (Ta), 97W (Tc) Surface Mount 8-HSON (5x5.4)
Cantidad
Mínimo 1

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NP35N055YUK-E1-AY Especificaciones Técnicas

Categoría FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Embalaje Tape & Reel (TR)

Serie -

Estado del producto Active

Tipo FET N-Channel

Tecnología MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 55 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C 35A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado) 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs 6.7mOhm @ 18A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs 57 nC @ 10 V

Vgs (máx.) ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 3360 pF @ 25 V

Función FET -

Disipación de potencia (máx.) 1W (Ta), 97W (Tc)

Temperatura de funcionamiento 175°C

Tipo de montaje Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor 8-HSON (5x5.4)

Paquete / Caja 8-PowerLDFN

Número de producto base NP35N055

Hoja de Datos y Documentos

Hoja de datos HTML

NP35N055YUK-E1-AY-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Información Adicional

Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
559-NP35N055YUK-E1-AYCT
559-NP35N055YUK-E1-AY
559-NP35N055YUK-E1-AY-DG
-1161-NP35N055YUK-E1-AYCT
559-NP35N055YUK-E1-AYDKR
559-NP35N055YUK-E1-AYTR
Certificación DIGI
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