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MRF7S19170HSR3
NXP USA Inc.
RF MOSFET LDMOS 28V NI880S
2088 Pcs Nuevos Originales En Stock
RF Mosfet 28 V 1.4 A 1.99GHz 17.2dB 50W NI-880S
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MRF7S19170HSR3
Descripción del producto
12811441
Número de pieza
MRF7S19170HSR3-DGFabricante
NXP USA Inc.
MRF7S19170HSR3
Descripción
RF MOSFET LDMOS 28V NI880SInventario
2088 Pcs Nuevos Originales En Stock
RF Mosfet 28 V 1.4 A 1.99GHz 17.2dB 50W NI-880S
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MRF7S19170HSR3 Especificaciones Técnicas
Categoría
Transistores, FETs, MOSFETs, FETs de RF, MOSFETs
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tecnología
LDMOS
Frecuencia
1.99GHz
Ganar
17.2dB
Voltaje - Prueba
28 V
Corriente nominal (amperios)
-
Figura de ruido
-
Corriente - Prueba
1.4 A
Potencia - Salida
50W
Voltaje - Nominal
65 V
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
NI-880S
Paquete de dispositivos del proveedor
NI-880S
Número de producto base
MRF7
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Descargar MRF7S19170HSR3 Especificaciones del producto (PDF)
Hoja de datos HTML
MRF7S19170HSR3-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Información Adicional
Paquete Estándar
250
Otros nombres
935319253128
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Dec 02, 2025
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Preguntas Frecuentes (FAQ)
¿Cuáles son las principales características del RF MOSFET NI-880S (MRF7S19170HSR3)?
El RF MOSFET NI-880S opera a 1.99 GHz, con una ganancia de 17.2 dB, una potencia de salida máxima de 50 W y una tensión de clasificación de 28 V. Está diseñado para aplicaciones de RF de alta frecuencia y utiliza tecnología LDMOS para mejorar la eficiencia y el rendimiento.
¿Es el RF MOSFET NI-880S adecuado para sistemas de comunicación 5G u otras tecnologías de alta frecuencia?
Aunque el NI-880S funciona a 1.99 GHz, se utiliza principalmente en sistemas de amplificación RF. Para aplicaciones 5G, es importante verificar su compatibilidad con las bandas de frecuencia y requerimientos específicos de tu sistema.
¿Se puede utilizar el RF MOSFET NI-880S con tecnología de montaje superficial (SMT)?
Sí, el NI-880S viene en un paquete de montaje superficial, lo que lo hace adecuado para ensamblaje en placas PCB mediante procesos SMT, común en el diseño moderno de dispositivos RF.
¿Cuáles son las ventajas de utilizar este FET RF LDMOS para amplificación RF de alta potencia?
Este FET RF LDMOS ofrece alta ganancia, una salida de potencia confiable de hasta 50 W y funciona de manera eficiente a 28 V, siendo ideal para amplificación RF de alta potencia en sistemas de comunicación y transmisores RF.
¿El RF MOSFET NI-880S cumple con regulaciones ambientales y está disponible para compra?
Sí, el NI-880S cumple con RoHS3 y está disponible en stock, con más de 2,700 unidades. Es un producto nuevo y original, apto para aplicaciones profesionales en electrónica.
Aseguramiento de Calidad (QC)
DiGi garantiza la calidad y autenticidad de cada componente electrónico mediante inspecciones profesionales y muestreos por lote, asegurando un abastecimiento confiable, un rendimiento estable y el cumplimiento de las especificaciones técnicas, ayudando a los clientes a reducir los riesgos en la cadena de suministro y a usar los componentes en producción con confianza.
MRF7S19170HSR3 CAD Models
NXP USA Inc. MRF7S19170HSR3 PCB symbols & footprints
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