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CY7C2663KV18-450BZI
Infineon Technologies
IC SRAM 144MBIT PAR 165FBGA
22300 Pcs Nuevos Originales En Stock
SRAM - Synchronous, QDR II+ Memory IC 144Mbit Parallel 450 MHz 165-FBGA (15x17)
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CY7C2663KV18-450BZI
Descripción del producto
6326587
Número de pieza
CY7C2663KV18-450BZI-DGFabricante
Infineon Technologies
CY7C2663KV18-450BZI
Descripción
IC SRAM 144MBIT PAR 165FBGAInventario
22300 Pcs Nuevos Originales En Stock
SRAM - Synchronous, QDR II+ Memory IC 144Mbit Parallel 450 MHz 165-FBGA (15x17)
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CY7C2663KV18-450BZI Especificaciones Técnicas
Categoría
Memoria, Memoria
Embalaje
Tray
Serie
-
Estado del producto
Active
DiGi-Electronics programable
Not Verified
Tipo de memoria
Volatile
Formato de memoria
SRAM
Tecnología
SRAM - Synchronous, QDR II+
Tamaño de la memoria
144Mbit
Organización de la memoria
8M x 18
Interfaz de memoria
Parallel
Frecuencia del reloj
450 MHz
Tiempo de ciclo de escritura - Word, Página
-
Voltaje - Suministro
1.7V ~ 1.9V
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
165-LBGA
Paquete de dispositivos del proveedor
165-FBGA (15x17)
Número de producto base
CY7C2663
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
CY7C2663KV18, CY7C2665KV18
Hoja de datos HTML
CY7C2663KV18-450BZI-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
3A991B2A
HTSUS
8542.32.0041
Información Adicional
Paquete Estándar
105
Otros nombres
SP005651511
2832-CY7C2663KV18-450BZI
CY7C2663KV18450BZI
-CY7C2663KV18-450BZI
2015-CY7C2663KV18-450BZI
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Dec 02, 2025
Langzeitgebrauch bestätigt die hohe Qualität der Produkte von DiGi Electronics.
Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Preguntas Frecuentes (FAQ)
¿Cuál es la función principal del circuito integrado de memoria CY7C2663KV18-450BZI?
El CY7C2663KV18-450BZI es una memoria SRAM síncrona (Memoria de Acceso Aleatorio Estática) diseñada para almacenamiento y acceso de datos de alta velocidad, compatible con aplicaciones que requieren un rendimiento rápido de memoria de hasta 450 MHz.
¿Es adecuada esta memoria SRAM para entornos de alta temperatura?
Sí, esta memoria funciona de manera confiable en un rango de temperatura de -40°C a 85°C, lo que la hace adecuada para aplicaciones industriales y automotrices con requisitos de altas temperaturas.
¿Cuáles son las especificaciones de compatibilidad e interfaz de este circuito integrado de memoria QDR II+ SRAM?
Esta SRAM utiliza una interfaz de memoria paralela y está organizada como 8M x 18, compatible con sistemas que soportan transferencia de datos paralela en paquetes de 165-FBGA, asegurando una integración sencilla en diseños electrónicos de alta velocidad.
¿Requiere este circuito integrado de memoria una fuente de voltaje específica?
Sí, opera en un rango de voltaje de alimentación de 1.7V a 1.9V, lo que ayuda a reducir el consumo energético y soporta aplicaciones de eficiencia energética.
¿Cuáles son los beneficios principales de elegir este chip SRAM de Infineon para mi proyecto?
Este IC ofrece un rendimiento de alta velocidad de 450 MHz, un paquete compacto de 165-FBGA y operación confiable en un amplio rango de temperaturas, lo que lo hace ideal para electrónica avanzada y exigente.
Aseguramiento de Calidad (QC)
DiGi garantiza la calidad y autenticidad de cada componente electrónico mediante inspecciones profesionales y muestreos por lote, asegurando un abastecimiento confiable, un rendimiento estable y el cumplimiento de las especificaciones técnicas, ayudando a los clientes a reducir los riesgos en la cadena de suministro y a usar los componentes en producción con confianza.
CY7C2663KV18-450BZI CAD Models
Infineon Technologies CY7C2663KV18-450BZI PCB symbols & footprints
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