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CY7C1413KV18-300BZXC
Infineon Technologies
IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA
17100 Pcs Nuevos Originales En Stock
SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 36Mbit Parallel 300 MHz 165-FBGA (13x15)
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CY7C1413KV18-300BZXC
Descripción del producto
6331286
Número de pieza
CY7C1413KV18-300BZXC-DGFabricante
Infineon Technologies
CY7C1413KV18-300BZXC
Descripción
IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGAInventario
17100 Pcs Nuevos Originales En Stock
SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 36Mbit Parallel 300 MHz 165-FBGA (13x15)
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CY7C1413KV18-300BZXC Especificaciones Técnicas
Categoría
Memoria, Memoria
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Active
DiGi-Electronics programable
Not Verified
Tipo de memoria
Volatile
Formato de memoria
SRAM
Tecnología
SRAM - Synchronous, QDR II
Tamaño de la memoria
36Mbit
Organización de la memoria
2M x 18
Interfaz de memoria
Parallel
Frecuencia del reloj
300 MHz
Tiempo de ciclo de escritura - Word, Página
-
Voltaje - Suministro
1.7V ~ 1.9V
Temperatura de funcionamiento
0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
165-LBGA
Paquete de dispositivos del proveedor
165-FBGA (13x15)
Número de producto base
CY7C1413
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
CY7C14xxKV18
Hoja de datos HTML
CY7C1413KV18-300BZXC-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
3A991B2A
HTSUS
8542.32.0041
Información Adicional
Paquete Estándar
272
Otros nombres
CYPCYPCY7C1413KV18-300BZXC
2015-CY7C1413KV18-300BZXC
2156-CY7C1413KV18-300BZXC
2832-CY7C1413KV18-300BZXC
-CY7C1413KV18-300BZXC
SP005639139
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Dec 02, 2025
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Preguntas Frecuentes (FAQ)
¿Cuáles son las características clave del chip SRAM Infineon CY7C1413KV18-300BZXC?
El CY7C1413KV18-300BZXC es una memoria SRAM síncrona de 36Mb con organización de 2M x 18 bits, que opera a 300 MHz en un paquete 165-FBGA, ideal para aplicaciones de memoria de alta velocidad.
¿Es compatible la SRAM Infineon CY7C1413KV18-300BZXC con mi dispositivo electrónico?
Esta SRAM está diseñada con una interfaz paralela y funciona con un voltaje de 1.7V a 1.9V, por lo que es compatible con sistemas que requieren memoria de alta velocidad y bajo voltaje, siempre que su dispositivo soporte estas especificaciones.
¿Cuáles son las ventajas de usar el chip QDR II SRAM como el CY7C1413KV18-300BZXC?
Las SRAM QDR II, como este modelo, ofrecen transferencia de datos a alta velocidad de 300 MHz, bajo consumo de energía y operación síncrona fiable, lo que las hace ideales para aplicaciones exigentes de procesamiento de datos.
¿Puedo usar la SRAM CY7C1413KV18-300BZXC en entornos industriales con temperaturas extremas?
La SRAM funciona en un rango de temperatura de 0°C a 70°C, adecuado para aplicaciones industriales estándar, pero no se recomienda para ambientes con temperaturas extremas.
¿Qué debo saber sobre la compra y manipulación de los chips SRAM CY7C1413KV18-300BZXC?
Los chips cumplen con la normativa RoHS3, vienen en bandejas de embalaje y son de montaje superficial en un paquete 165-LBGA. Se recomienda seguir procedimientos adecuados de manejo para prevenir problemas por sensibilidad a la humedad, según la clasificación MSL 3.
Aseguramiento de Calidad (QC)
DiGi garantiza la calidad y autenticidad de cada componente electrónico mediante inspecciones profesionales y muestreos por lote, asegurando un abastecimiento confiable, un rendimiento estable y el cumplimiento de las especificaciones técnicas, ayudando a los clientes a reducir los riesgos en la cadena de suministro y a usar los componentes en producción con confianza.
CY7C1413KV18-300BZXC CAD Models
Infineon Technologies CY7C1413KV18-300BZXC PCB symbols & footprints
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