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CY7C10612G30-10ZSXI
Infineon Technologies
IC SRAM 16MBIT PAR 54TSOP II
3110 Pcs Nuevos Originales En Stock
SRAM - Asynchronous Memory IC 16Mbit Parallel 10 ns 54-TSOP II
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CY7C10612G30-10ZSXI
Descripción del producto
6330240
Número de pieza
CY7C10612G30-10ZSXI-DGFabricante
Infineon Technologies
CY7C10612G30-10ZSXI
Descripción
IC SRAM 16MBIT PAR 54TSOP IIInventario
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SRAM - Asynchronous Memory IC 16Mbit Parallel 10 ns 54-TSOP II
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CY7C10612G30-10ZSXI Especificaciones Técnicas
Categoría
Memoria, Memoria
Embalaje
Tray
Serie
-
Estado del producto
Active
DiGi-Electronics programable
Not Verified
Tipo de memoria
Volatile
Formato de memoria
SRAM
Tecnología
SRAM - Asynchronous
Tamaño de la memoria
16Mbit
Organización de la memoria
1M x 16
Interfaz de memoria
Parallel
Tiempo de ciclo de escritura - Word, Página
10ns
Tiempo de entrada
10 ns
Voltaje - Suministro
3V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Paquete de dispositivos del proveedor
54-TSOP II
Número de producto base
CY7C10612
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
CY7C10612G,GE
Hoja de datos HTML
CY7C10612G30-10ZSXI-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
3A991B2A
HTSUS
8542.32.0041
Información Adicional
Paquete Estándar
108
Otros nombres
2015-CY7C10612G30-10ZSXI
428-4489
CY7C10612G30-10ZSXI-DG
448-CY7C10612G30-10ZSXI
428-4489-DG
SP005638259
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
DiGi Electronics provides excellent value, combining affordability with top-tier performance.
Dec 02, 2025
The careful packaging prevented any damage, even during long transit.
Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Preguntas Frecuentes (FAQ)
¿Cuál es la capacidad y el tipo del chip de memoria Infineon CY7C10612G30-10ZSXI?
El Infineon CY7C10612G30-10ZSXI es una memoria SRAM asincrónica de 16Mb (megabit), que ofrece un total de 16 megabits de memoria volátil adecuada para aplicaciones de alta velocidad.
¿El SRAM CY7C10612G30-10ZSXI es compatible con diferentes voltajes y rangos de temperatura?
Sí, este SRAM funciona con un rango de voltaje de alimentación de 3V a 3.6V y soporta un rango de temperatura industrial desde -40°C hasta 85°C, lo que lo hace adecuado para diversos entornos.
¿Cuáles son las características principales del SRAM CY7C10612G30-10ZSXI en términos de velocidad y organización?
Este SRAM tiene un tiempo de acceso rápido de 10 ns y presenta una organización de 1M x 16, proporcionando un acceso a datos fiable y de alta velocidad para sistemas electrónicos complejos.
¿Es compatible el CY7C10612G30-10ZSXI con diseños de PCB de montaje superficial?
Sí, el chip de memoria está diseñado con un paquete 54-TSOP II, adecuado para montaje en superficie en placas de circuito impreso, simplificando la integración en dispositivos compactos.
¿Dónde puedo adquirir el SRAM CY7C10612G30-10ZSXI y qué opciones de soporte postventa ofrece?
Este SRAM está disponible en stock con proveedores autorizados, incluyendo Digi-Electronics, en unidades nuevas y originales. Para soporte postventa, el servicio al cliente generalmente ofrece asistencia técnica y opciones de garantía, asegurando un rendimiento confiable del producto.
Aseguramiento de Calidad (QC)
DiGi garantiza la calidad y autenticidad de cada componente electrónico mediante inspecciones profesionales y muestreos por lote, asegurando un abastecimiento confiable, un rendimiento estable y el cumplimiento de las especificaciones técnicas, ayudando a los clientes a reducir los riesgos en la cadena de suministro y a usar los componentes en producción con confianza.
CY7C10612G30-10ZSXI CAD Models
Infineon Technologies CY7C10612G30-10ZSXI PCB symbols & footprints
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