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CY62158H-45ZSXI
Infineon Technologies
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II
2000 Pcs Nuevos Originales En Stock
SRAM - Asynchronous Memory IC 8Mbit Parallel 45 ns 44-TSOP II
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CY62158H-45ZSXI
Descripción del producto
6329944
Número de pieza
CY62158H-45ZSXI-DGFabricante
Infineon Technologies
CY62158H-45ZSXI
Descripción
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP IIInventario
2000 Pcs Nuevos Originales En Stock
SRAM - Asynchronous Memory IC 8Mbit Parallel 45 ns 44-TSOP II
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CY62158H-45ZSXI Especificaciones Técnicas
Categoría
Memoria, Memoria
Embalaje
Tray
Serie
MoBL®
Estado del producto
Active
DiGi-Electronics programable
Not Verified
Tipo de memoria
Volatile
Formato de memoria
SRAM
Tecnología
SRAM - Asynchronous
Tamaño de la memoria
8Mbit
Organización de la memoria
1M x 8
Interfaz de memoria
Parallel
Tiempo de ciclo de escritura - Word, Página
45ns
Tiempo de entrada
45 ns
Voltaje - Suministro
4.5V ~ 5.5V
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Paquete de dispositivos del proveedor
44-TSOP II
Número de producto base
CY62158
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
CY62158H MoBL
Hoja de datos HTML
CY62158H-45ZSXI-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
3A991B2A
HTSUS
8542.32.0041
Información Adicional
Paquete Estándar
675
Otros nombres
SP005638709
448-CY62158H-45ZSXI
CY62158H-45ZSXI-DG
2832-CY62158H-45ZSXI
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Preguntas Frecuentes (FAQ)
¿Cuál es la capacidad y velocidad del chip de memoria SRAM CY62158H?
El CY62158H es una memoria SRAM asincrónica de 8 megabits que funciona con un tiempo de acceso de 45 ns, adecuada para aplicaciones de alta velocidad que requieren acceso rápido a los datos.
¿Es compatible la memoria SRAM CY62158H con diferentes dispositivos electrónicos?
Sí, este chip SRAM cuenta con una interfaz paralela y un rango de voltaje estándar (de 4,5V a 5,5V), lo que lo hace compatible con una variedad de sistemas electrónicos que requieren memoria volátil.
¿Cuáles son las principales características del IC de memoria SRAM CY62158H?
Este IC ofrece una organización de memoria de 8 Mbit (1M x 8), un ciclo de escritura y tiempo de acceso de 45 ns, y está encapsulado en un paquete superficial 44-TSOP II, garantizando un rendimiento confiable en diseños compactos.
¿Funciona el SRAM CY62158H dentro de rangos de temperatura estándar?
Sí, soporta un amplio rango de temperatura de operación desde -40°C hasta 85°C, lo que lo hace adecuado tanto para aplicaciones industriales como comerciales.
¿Cuáles son los beneficios de elegir el IC de memoria SRAM CY62158H para mi proyecto?
Este SRAM ofrece acceso rápido a los datos, rendimiento confiable, cumplimiento con RoHS3, y cuenta con un nivel de sensibilidad a la humedad de 168 horas, asegurando calidad y durabilidad en tus diseños electrónicos.
Aseguramiento de Calidad (QC)
DiGi garantiza la calidad y autenticidad de cada componente electrónico mediante inspecciones profesionales y muestreos por lote, asegurando un abastecimiento confiable, un rendimiento estable y el cumplimiento de las especificaciones técnicas, ayudando a los clientes a reducir los riesgos en la cadena de suministro y a usar los componentes en producción con confianza.
CY62158H-45ZSXI CAD Models
Infineon Technologies CY62158H-45ZSXI PCB symbols & footprints
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