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CY62157ELL-55BVXE
Infineon Technologies
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48VFBGA
1415 Pcs Nuevos Originales En Stock
SRAM - Asynchronous Memory IC 8Mbit Parallel 55 ns 48-VFBGA (6x8)
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CY62157ELL-55BVXE
Descripción del producto
6333471
Número de pieza
CY62157ELL-55BVXE-DGFabricante
Infineon Technologies
CY62157ELL-55BVXE
Descripción
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48VFBGAInventario
1415 Pcs Nuevos Originales En Stock
SRAM - Asynchronous Memory IC 8Mbit Parallel 55 ns 48-VFBGA (6x8)
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CY62157ELL-55BVXE Especificaciones Técnicas
Categoría
Memoria, Memoria
Embalaje
Tray
Serie
MoBL®
Estado del producto
Active
DiGi-Electronics programable
Not Verified
Tipo de memoria
Volatile
Formato de memoria
SRAM
Tecnología
SRAM - Asynchronous
Tamaño de la memoria
8Mbit
Organización de la memoria
512K x 16
Interfaz de memoria
Parallel
Tiempo de ciclo de escritura - Word, Página
55ns
Tiempo de entrada
55 ns
Voltaje - Suministro
4.5V ~ 5.5V
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 125°C (TA)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
48-VFBGA
Paquete de dispositivos del proveedor
48-VFBGA (6x8)
Número de producto base
CY62157
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
CY62157E MoBL®
Hoja de datos HTML
CY62157ELL-55BVXE-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
3A991B2A
HTSUS
8542.32.0041
Información Adicional
Paquete Estándar
2,400
Otros nombres
CY62157ELL55BVXE
2015-CY62157ELL-55BVXE
SP005648391
2156-CY62157ELL-55BVXE
CYPCYPCY62157ELL-55BVXE
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Preguntas Frecuentes (FAQ)
¿Cuál es la capacidad de memoria del chip SRAM Infineon CY62157ELL-55BVXE?
El Infineon CY62157ELL-55BVXE es una memoria SRAM asincrónica de 8 Megabits (8 Mbit) con una organización de memoria de 512K x 16.
¿El CY62157ELL-55BVXE es compatible con encapsulado 48-VFBGA?
Sí, este SRAM viene en un encapsulado 48-VFBGA de 6x8mm, adecuado para montaje superficial en placas de circuito impreso.
¿Cuáles son las principales características y ventajas de este IC SRAM?
Este SRAM ofrece un tiempo de acceso rápido de 55ns, funciona con un rango de voltaje de 4.5V a 5.5V y está diseñado para aplicaciones de memoria volátil de alta velocidad con rendimiento térmico robusto desde -40°C hasta 125°C.
¿Puede el CY62157ELL-55BVXE operar de manera fiable en entornos industriales?
Sí, está diseñado para operar de manera confiable en un amplio rango de temperaturas (-40°C a 125°C), lo que lo hace adecuado para aplicaciones industriales y automotrices.
¿Cómo puedo comprar y asegurar la calidad del SRAM Infineon CY62157ELL-55BVXE?
Está disponible como stock nuevo y original en bandejas, cumple con RoHS3, y se adquiere de proveedores autorizados, garantizando calidad y autenticidad.
Aseguramiento de Calidad (QC)
DiGi garantiza la calidad y autenticidad de cada componente electrónico mediante inspecciones profesionales y muestreos por lote, asegurando un abastecimiento confiable, un rendimiento estable y el cumplimiento de las especificaciones técnicas, ayudando a los clientes a reducir los riesgos en la cadena de suministro y a usar los componentes en producción con confianza.
CY62157ELL-55BVXE CAD Models
Infineon Technologies CY62157ELL-55BVXE PCB symbols & footprints
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