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CY14B108N-ZSP25XI
Infineon Technologies
IC NVSRAM 8MBIT PAR 54TSOP II
1287 Pcs Nuevos Originales En Stock
NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 8Mbit Parallel 25 ns 54-TSOP II
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CY14B108N-ZSP25XI
Descripción del producto
6333375
Número de pieza
CY14B108N-ZSP25XI-DGFabricante
Infineon Technologies
CY14B108N-ZSP25XI
Descripción
IC NVSRAM 8MBIT PAR 54TSOP IIInventario
1287 Pcs Nuevos Originales En Stock
NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 8Mbit Parallel 25 ns 54-TSOP II
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CY14B108N-ZSP25XI Especificaciones Técnicas
Categoría
Memoria, Memoria
Embalaje
Tray
Serie
-
Estado del producto
Active
DiGi-Electronics programable
Not Verified
Tipo de memoria
Non-Volatile
Formato de memoria
NVSRAM
Tecnología
NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Tamaño de la memoria
8Mbit
Organización de la memoria
512K x 16
Interfaz de memoria
Parallel
Tiempo de ciclo de escritura - Word, Página
25ns
Tiempo de entrada
25 ns
Voltaje - Suministro
2.7V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Paquete de dispositivos del proveedor
54-TSOP II
Número de producto base
CY14B108
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
CY14B108L,N
Hoja de datos HTML
CY14B108N-ZSP25XI-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
3A991B2A
HTSUS
8542.32.0041
Información Adicional
Paquete Estándar
108
Otros nombres
2832-CY14B108N-ZSP25XI
SP005641417
-CY14B108N-ZSP25XI
CY14B108NZSP25XI
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
Je n'ai jamais rencontré un service après-vente aussi attentif et compétent que chez DiGi Electronics.
Dec 02, 2025
Leur engagement envers la satisfaction client est évident dans leur service.
Dec 02, 2025
きちんとした包装とスピーディーな配送で非常に良い印象です。
Dec 02, 2025
Their delivery process is transparent, with tracking updates provided regularly.
Dec 02, 2025
Rapid dispatch and attentive customer service made my first experience exceptional.
Dec 02, 2025
Their commitment to keeping prices low while using green packaging is commendable.
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Preguntas Frecuentes (FAQ)
¿Cuál es la función principal del chip de memoria NVSRAM Infineon CY14B108N-ZSP25XI?
El CY14B108N-ZSP25XI es una memoria SRAM no volátil que combina la velocidad de la RAM con la retención de datos de la memoria no volátil, lo que la hace ideal para aplicaciones que requieren acceso rápido a los datos y almacenamiento persistente.
¿Es compatible el CY14B108N-ZSP25XI con interfaces de memoria paralelas estándar?
Sí, este chip utiliza una interfaz paralela, compatible con los setups tradicionales de controladores de memoria, lo que facilita su integración en sistemas existentes.
¿Cuáles son las ventajas de utilizar la carcasa 54-TSOP II para este chip de memoria?
La carcasa 54-TSOP II permite montaje superficial, ofreciendo un diseño compacto adecuado para aplicaciones con limitaciones de espacio y garantizando conexiones eléctricas confiables.
¿El CY14B108N-ZSP25XI puede operar en un amplio rango de temperaturas?
Sí, soporta un rango de temperatura de operación de -40°C a 85°C, siendo apto para entornos industriales y comerciales.
¿Qué debo saber sobre los requisitos de alimentación para este chip NVSRAM?
El chip requiere una tensión de alimentación entre 2.7V y 3.6V, asegurando compatibilidad con la mayoría de los sistemas de 3V y un consumo de energía bajo para una operación eficiente.
Aseguramiento de Calidad (QC)
DiGi garantiza la calidad y autenticidad de cada componente electrónico mediante inspecciones profesionales y muestreos por lote, asegurando un abastecimiento confiable, un rendimiento estable y el cumplimiento de las especificaciones técnicas, ayudando a los clientes a reducir los riesgos en la cadena de suministro y a usar los componentes en producción con confianza.
CY14B108N-ZSP25XI CAD Models
Infineon Technologies CY14B108N-ZSP25XI PCB symbols & footprints
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